Samsung חושפת V10 BV-NAND עם 400+ שכבות וזיכרון תלת-ממדי zHBM/zNAND-O למרכזי נתוני AI

בכנס Future of Memory and Storage (FMS) 2026 חשפה Samsung את מפת הדרכים שלה לזיכרון מהדור הבא עבור מרכזי נתונים של AI. בלב ההכרזה עמד אב-טיפוס של V10 Bonding V-NAND (BV-NAND) עם יותר מ-400 שכבות וארכיטקטורת wafer-bonding שמספקת עלייה של 58% בצפיפות לעומת דור V9 הקודם — צעד משמעותי בדחיסת יותר אחסון לאותו שטח פיזי.

הצופים קדימה יותר היו מודלי הקונספט: zHBM ו-zNAND-O, מחסני זיכרון תלת-ממדיים ש-Samsung טוענת שמציעים פי 8 ביצועים לעומת HBM5 ויותר מפי 10 צפיפות זיכרון. אלה מכוונים לצוואר הבקבוק של רוחב-פס הזיכרון, שהופך יותר ויותר למגביל ב-inference של AI — שם הגורם המעכב הוא לרוב העברת נתונים אל המאיץ וממנו, ולא כוח המחשוב הגולמי עצמו. המיתוג 'z' מסמן מעבר ל-3D stacking אמיתי כדי לפרוץ את קיר רוחב-הפס.

ההקשר הוא צוואר הבקבוק של הזיכרון בכל תעשיית ה-AI: קהילת r/LocalLLaMA הדהדה הכרזה מקבילה של SK hynix ו-SanDisk על תקן High Bandwidth Flash (HBF) חדש שמכוון עד 3TB/s (566 לייקים), מה שמדגיש שספקי הזיכרון מתחרים במרוץ לפתור את צווארי הבקבוק של ה-inference בעזרת ארכיטקטורות חדשניות. הטענות של Samsung לגבי zHBM ממקמות אותה ישירות בתחרות הזו מול מאמצי ה-HBM וה-HBF של SK hynix.

עבור הקוראים, המשמעות היא שסיפור מחסור-המחשוב של AI — AWS מכרה את כל היכולת עד 2028, עסקת המחשוב של Anthropic ב-10 מיליארד דולר — נושא גם ממד של זיכרון שמגביל באותה מידה. ה-GPUs נבלמים על ידי המהירות שבה אפשר להזין להם נתונים, ו-NAND בן 400 שכבות בתוספת מחסני 3D ברוחב-פס גבוה הם הדרך שבה תעשיית הזיכרון מתכוונת לעמוד בקצב. ההסתייגות: zHBM ו-zNAND-O הם מודלי קונספט, לא מוצרים במשלוח, ולכן הטענות של פי 8 ופי 10 הן שאיפות במפת הדרכים שממתינות לסיליקון אמיתי. שווה לעקוב אחרי לוחות הזמנים למוצריות ואם Samsung תצליח להמיר קונספטים מ-FMS לזיכרון מרכזי-נתונים פרוס לפני SK hynix.