Samsung חושפת קונספטים של זיכרון תלת-ממדי zHBM ו-zNAND-O — וזיכרון V10 NAND של 400+ שכבות בייצור

בכנס Future of Memory and Storage (FMS) 2026 בסנטה קלרה, Samsung פרסה מפת דרכים אגרסיבית לזיכרון AI. היא הציגה ארכיטקטורות רעיוניות בשם zHBM (Z-axis High Bandwidth Memory) ו-zNAND-O, וטענה למהירות גבוהה פי 8 וצפיפות גבוהה פי 10 בהשוואה ל-HBM5 — חזון ארוך-טווח שמכוון היישר אל צוואר הבקבוק של רוחב הפס בזיכרון, שהולך ומגביל את האימון וה-inference של מודלים גדולים.

בצד הייצור לטווח הקרוב יותר, Samsung הציגה אב-טיפוס V10 BV-NAND עם 400+ שכבות שנבנה בטכנולוגיית wafer-bonding, שמספק צפיפות גבוהה ב-58% מדור V9 הקודם. החברה מתכננת להעלות את קצב הייצור של HBM4 במחצית השנייה של 2026, וממצבת את zHBM כמוצר לאחר 2028 שיגיע לצד HBM5. הקצב הזה שומר על Samsung בתחרות ישירה מול SK Hynix ו-Micron על אספקת זיכרון ה-AI שהיפרסקיילרים ויצרני השבבים נואשים לתפוס.

ההכרזה חשובה כי זיכרון, ולא רק מחשוב, הוא גורם מגביל לתשתית AI — והיא מתחברת לנושא החומרה הרחב של השבוע, שבו Anthropic בונה שבבים בהתאמה אישית, AMD רכשה את Taalas כדי לצרוב מודלים לתוך סיליקון, ו-NVIDIA ממשיכה בשליטת ה-stack שלה. זיכרון עם רוחב פס וצפיפות גבוהים יותר משפר ישירות את הכלכליות של הרצת מודלי MoE בסדר גודל של טריליון פרמטרים כמו Qwen3.8-Max.

ההסתייגויות הן הרגילות להכרזות רעיוניות: zHBM ו-zNAND-O הם חזונות ארכיטקטוניים עם לוחות זמנים של אחרי 2028, לא מוצרים שמשווקים, ומכפילי המהירות/הצפיפות של Samsung הם טענות של הספק ללא אימות עצמאי. האות המוחשי לטווח הקרוב הוא אב-הטיפוס של V10 NAND עם 400+ שכבות והעלאת קצב ה-HBM4 במחצית השנייה של 2026 — אלה אבני הדרך שמשפיעות בפועל על רוכשי תשתית ה-AI בשנה הקרובה. לעת עתה, Samsung נועצת דגל במפת הדרכים ארוכת-הטווח של הזיכרון תוך שהיא מתחרה על אספקת ה-HBM של הדור הנוכחי.